VLSI设计基础（数字集成电路设计基础）(东南大学) 中国大学mooc慕课答案2024版 m77099

_两方面的问题 ，，，，，， ，点击这里查看第一章概论第一章测试 ，购买后上方矩形框将出现已付费的隐藏内容 .和. （） []post_id=”″show_buy_btn=”true”]下方为已购买的内容：第二章下设计与工艺接口第二章下测试 ABCD ALU的核心是，配合相应的函数发生器即可进行多种和 BBBBBBBB bitcell的设计要主要考虑_ Clockskew时钟（）的不确定性；Clockjitter时钟的不确定性；偏差和抖动对电路工作频率都影响 e F=； I/OPAD只有输入单元和输出单元两种形式 mooc慕课答案 mooc慕课答案题库 mooc答案 mooc答案题库 mooc题库 MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率 MOS晶体管的电学本质：电压控制电流源 nm NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失 PMOS管的尺寸比NMOS管小，这样可使倒相器的输出波形对称 sensoramplifier的可分辨压差越小，则bitcell中的数据读出速度越快 SRAM T=TClkQ+TCOMB+TSU+TJI–δ thold<tcq，cd+tlogic，cd tsetup=*tpd_inv+tpd_t VLSI芯片内部处理的是模拟信号 VLSI设计基础（数字集成电路设计基础）(东南大学) 中国大学mooc慕课答案2023版 m77099 上图是传输晶体管逻辑，以下选项中哪个才是正确的逻辑表达式（） 下列哪个选项不属于设计与工艺接口 下图哪个实现了数据A的递减操作（） 下图对应的逻辑表达式是 下图所对应的两种情况，叙述正确的是（） 下图是一条典型的路径，起始端为两个触发器，中间为组合逻辑 下图曲线是倒相器在各个工艺角下的仿真结果，从上往下工艺角越来越差 下图最小时钟周期是多少 下图的表达式是（） 下图等效宽长比为，求ABCD四个PMOS和NMOS管的宽长比 下面关于ESD防护说法不正确的是：（） 下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线 下面哪种情况是沿触发系统最差情况 下面哪种方法不能提高系统主频 下面对于冯诺依曼结构和哈佛结构说法正确的是（） 下面对于控制器的说法正确的是（） 下面版图对应的逻辑表达式是（） 下面选项中，关于I/O单元说法不正确的是 中国大学mooc慕课答案 中国大学mooc慕课答案大全 中国大学mooc慕课答案题库 中国大学mooc测验作业答案 中国大学mooc答案 中国大学MOOC答案 CSDN 中国大学mooc答案公众号 中国大学mooc答案公众号免费 中国大学mooc答案合集 中国大学MOOC答案在哪里查 中国大学MOOC答案查询 中国大学mooc答案题库 中国大学MOOC网课答案查询方法 中国大学慕课mooc答案题库 中国大学慕课答案 中国大学慕课答案题库 为了让R的数据传给下一级的数据不被提早传递过来的数据冲掉，产生冒险 为什么我们要大力发展memory（） 乘法器 互连延时降低，互连能耗减小 以下哪个条件是线性区的条件 以下说法正确的是（） 传输晶体管逻辑会使电路结构非常复杂，但是对速度性能没有什么影响 你认为数字集成电路最重要的三大指标是什么 假设tpd_inv是反相器延时，tpd_t是传输门延时，所有反相器延时，传输门延时相同，那么上图传输门主从（MasterSlave）边沿触发寄存器的建立时间 全加器算术运算逻辑运算 其中寄存器的最小延时为tcq，cd，最大传播延时为tcq，组合逻辑的最小延时tlogic，cd，最大传播延时为tlogic，那么thold必须满足（） 写出图中所示电路的逻辑表达式 冯诺依曼的统一编址可以最大限度的利用资源;哈佛结构可以同时读取指令和数据，指令执行时可以同时预取下一条指令;哈佛结构程序只能在封闭的代码区中运行，不可能跑到数据区，跑飞的几率减少 几何设计规则给出的是一组版图设计的最大允许尺寸 到今年为止，工艺尺寸还在scalingdown吗 前一个上升沿滞后，后一个上升沿提前 原因是什么 反向偏置的二极管可以作为ESD防护器件，正向偏置的二极管不行 取指译码执行 哈佛结构的微处理器由两个空间和通讯连线组成，两个空间是和，通讯连线主要是指 四输入与 图a和图b相比，下面说法正确的是 图a面积小，性能低；图b面积大，性能高； 图中实现什么功能（） 在开漏输出单元中的NMOS管不需要采用大尺寸的晶体管 在空间上不同位置；在时间上不同时刻；有 均为章节测试 大学慕课MOOC的答案在哪里 大部分I/OPAD都不是以标准单元的结构形式出现 如果Ai为，则本位和执行传输Bi的操作;如果Bi输入本身是一个逻辑函数，本位和传输的就是该逻辑函数的原函数或反函数 如果按照挥发性和非挥发性对memory进行分类，下列哪一选项与其他选项不属于同一类（） 寄存器的维持时间thold必须小于通过逻辑网络的最小传播延时 对于下图所示电路，逐级加大晶体管尺寸，降低了起主要作用的电阻，同时使得电容的增加保持在一定的范围内 对于输出单元中的隔离环结构，说法不正确的是（） 对寄存器R来讲，时序上必须满足保持时间的要求 工艺抽象 当f取何值时，总延迟时间最小（） 当S=，其余位均为时，DDDDDDDD移位结果是（） 当全加器的Ci=时 微处理器由（）组成 微码控制器实际上就是一块ROM和相应的地址发生器的组合，它包含了全部的控制信息 情况a：M和M同时导通 慕课答案 慕课答案免费查询 慕课答案题库 慕课题库 控制器;算术逻辑单元;几个寄存器 控制器是微处理器的核心，在硬件系统里把指令转化成一根根的信号线连接到各个单元，控制这些模块工作或不工作;控制器的两种电路实现方式：随机逻辑（硬布线）电路实现和微码控制器 摩尔定律将遇到前所未有的挑战，挑战不包含哪个（） 摩尔定律预测单个芯片上的晶体管数目每年会增加一倍 是的，目前最新工艺已进展到nm 最简单的三级流水线包含 栅极电压 标准单元中单元拓扑是对单元的外部尺寸和出线位置的描述 标准单元具有具有相同的宽度，可以具有不同的高度 正确 正确第五章单元库设计技术（）标准单元第五章测试 正确第五章单元库设计技术（）输入输出接口第五章测试 移位器和Memory设计第六章测验 程序空间数据空间总线 算术逻辑单元(ALU)是时序逻辑 组合电路输出是当前输入的函数，时序电路输出是当前输入和之前输入（状态）的函数 输入单元：主要目的是提供一定的驱动能力；输出单元：主要目的是ESD保护 输出单元采用倒相器链结构可以增大驱动能力 速度;功耗;面积 部分作业 重要参数阈值电压由很多因素决定，下列哪个不包含在内 错误 错误下方是付费阅读内容：本平台商品均为虚拟商品，无法用作二次销售，不支持退换货，请在购买前确认您需要购买的资料准确无误后再购买，望知悉！[]post_id=”″show_buy_btn=”true”]下方为已购买的内容：第四章西方现代及当代管理理论的发展第四章章节测试 错误分析：成本驱动也是重要因素第二章MOS晶体管原理第二章测试 错误分析：算术逻辑单元(ALU)是组合逻辑 错误分析：采用传输晶体管逻辑可以使电路结构非常简单，但由于阈值电压损耗和串联电阻的作用，将对速度性能产生影响 错误第三章反相器和组合逻辑电路第三章测试 错误第六章微处理器及计算单元处理器结构 错误第四章时序逻辑电路第四章测试 防范可控硅效应（闩锁效应latchup）的措施一般在版图上做保护环，减小衬底和阱寄生阻抗的大小 降低寄存器保持时间 随着CPU主频的提高，memory的速度成为冯诺依曼结构中制约计算机速度的关键因素;随着多个处理器技术的发展，CPU对于memory的带宽要求越来越高;memory是世界上最大的标准型产品，而我国的memory主要依赖于进口;目前，memory的面积占芯片面积的比重很大，直接决定着整个芯片的成本 集成电路行业之所以追求摩尔定律的高速发展，是因为对技术奖进步的追求，最看重的是特征尺寸下降带来的技术提高 需点击上方按钮支付元购买，所有 面积良率[/]完整